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Rohm Semiconductor 罗姆半导体

Rohm

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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： MOSFET N-CH 30V .1A SOT416
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替代：
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电流 - 连续漏极(id)：100mA（Ta）
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丝印：
外壳：
封装：EMT3
料号：JTG8-208
包装：
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可供数量:咨询
个
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描述： MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： MOSFET N-CH 1200V TO-247
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参考价格:￥18.023500
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM
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外壳：
封装：8-PSOP
料号：JTG8-2005
包装：
参考价格:￥18.023500
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
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丝印：
外壳：
封装：TO-220FM
料号：JTG8-2096
包装：
参考价格:￥18.023500
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描述： MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
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外壳：
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外壳：
封装：TO-220FN
料号：JTG8-2386
包装：
参考价格:￥18.023500
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
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替代：
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功率 - 最大值：100W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：LPTS
料号：JTG8-2468
包装：
参考价格:￥18.023500
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V *fet 功能:- *功率 - 最大值:150mW（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V *fet 功能:- *功率 - 最大值:150mW（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):46A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:81 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:120W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型: 技术: *漏源极电压（vdss）: *电流 - 连续漏极(id): 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):16A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):50nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):65nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):28A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3130pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):13A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:380 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):33A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.23W（Ta），40W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:420 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):16A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):50nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15A（Tc） 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):50nC @ 10V *Vgs(最大值):50nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):10A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:543pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:35W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):21A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):21A（Tc） 不同id,vgs 时的rds on:220 毫欧 @ 10.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V *Vgs(最大值):64nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):18A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2050pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.05 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型
替代：
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丝印：
外壳：
封装：LPTS
料号：JTG8-5134
包装：
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO263
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： MOSFET N-CH 500V 9A LPTS
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V *fet 功能:- *功率 - 最大值:150mW（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V *fet 功能:- *功率 - 最大值:150mW（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):46A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:81 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:120W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型: 技术: *漏源极电压（vdss）: *电流 - 连续漏极(id): 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 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替代：
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丝印：
外壳：
封装：LPTS
料号：JTG8-5465
包装：
参考价格:￥18.023500
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品牌： Rohm Semiconductor复制 Rohm 罗姆半导体
描述： MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN
参数： *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V *fet 功能:- *功率 - 最大值:150mW（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):100mA（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V，4V 不同id,vgs 时的rds on:8 欧姆 @ 10mA，4V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):1.5V @ 100µA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):1.5V @ 100µA *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:13pF @ 5V *fet 功能:- *功率 - 最大值:150mW（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):46A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:81 毫欧 @ 23A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):150nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:6000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:120W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型: 技术: *漏源极电压（vdss）: *电流 - 连续漏极(id): 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 不同id,vgs 时的rds on: 不同 id 时的 vgs(th)(最大值): 不同 vgs 时的栅极电荷(qg): *Vgs(最大值): 不同vds 时的输入电容（ciss）: *fet 功能: *功率 - 最大值: 工作温度: 安装类型: *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):16A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):50nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):20A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:250 毫欧 @ 10A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):65nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2040pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:30V *电流 - 连续漏极(id):28A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V，10V 不同id,vgs 时的rds on:2.8 毫欧 @ 28A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):53nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:3130pF @ 15V *fet 功能:- *功率 - 最大值:3W（Ta） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):13A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:380 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:250V *电流 - 连续漏极(id):33A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:- 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):- 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):- *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:±30V *fet 功能:- *功率 - 最大值:2.23W（Ta），40W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):12A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:420 毫欧 @ 6A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):35nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1300pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):16A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 8A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):50nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1800pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):15A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):15A（Tc） 不同id,vgs 时的rds on:300 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):50nC @ 10V *Vgs(最大值):50nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1700pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):10A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:360 毫欧 @ 5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:543pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:35W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):21A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):21A（Tc） 不同id,vgs 时的rds on:220 毫欧 @ 10.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V *Vgs(最大值):64nC @ 10V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2300pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):18A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:270 毫欧 @ 9A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):55nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:2050pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:100W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):7A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:1.05 欧姆 @ 3.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):13nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:500pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:600V *电流 - 连续漏极(id):7A（Tc） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:620 毫欧 @ 2.4A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):14.5nC @ 10V *Vgs(最大值):±20V 不同vds 时的输入电容（ciss）:470pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:78W（Tc） 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):11A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:500 毫欧 @ 5.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):30nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1000pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:75W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:500V *电流 - 连续漏极(id):9A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:720 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4.5V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):21nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:650pF @ 25V *fet 功能:- *功率 - 最大值:50W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:表面贴装型 *fet 类型:N 通道 技术:MOSFET（金属氧化物） *漏源极电压（vdss）:200V *电流 - 连续漏极(id):15A（Ta） 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同id,vgs 时的rds on:160 毫欧 @ 7.5A，10V 不同 id 时的 vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 vgs 时的栅极电荷(qg):64nC @ 10V *Vgs(最大值):±30V 不同vds 时的输入电容（ciss）:1224pF @ 10V *fet 功能:- *功率 - 最大值:40W（Tc） 工作温度:150°C（TJ） 安装类型:通孔
替代：
fet 类型：N 通道
漏源极电压（vdss）：200V
电流 - 连续漏极(id)：15A（Ta）
Vgs(最大值)：±30V
fet 功能：-
功率 - 最大值：40W（Tc）
丝印：
外壳：
封装：TO-220FN
料号：JTG8-5485
包装：
参考价格:￥18.023500
SELECT count(a.zzsbh) as c,sum(stock) as stock,`gys_id`,`gys_zq` FROM golon_gys_file_new a LEFT JOIN golon_gys_brand b on a.gys_id=b.id WHERE ( a.zzsbh = 'RDN150N20FU6' ) AND ( `Gsxx_sx` <> '国际商城平台' ) LIMIT 1
现货库存:0
可供数量:咨询
个
总额：
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